반도체 면접에 대비한 최고의 강의

| 2020.01.15

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이번 강의는 dram과 nand 에 대한 면접 실전 문제를 풀어보는 시간이었다. 학부시절 반도체산업과 관련된 강의를 들어본적이 없던 나에게 반도체관련 전문용어는 너무나 낯설었지만 열심히 수강해보았다. Dram의 동작원리는 stand by, write 1, read 1으로 pre charge상태에서 전하량 차가 발생하면(write 1), high data를 읽는 read단계가 진행된다. Bit line 전압차 값을 높이는것이 안정적인 sensing을 위해서 필수적인데 이 값은 Cb와 Cs의 ratio에 의해 정해진다. Cs는 가능한 최대화하고 Cb는 가능한 감소하해야한다. Sensing margin값은 전압차에서 s/A offset 값을 뺀 값이다. Dram cell의 capacitance를 높이려면 scaling 작업을 해주면된다. 면적을 크게해주거나 두께를 두껍게 해주면 되는데 면적을 크게 할경우 기기의 길이가 길어져 구조의 불안정성이 커지게된다. 두께를 두껍게 하는 방법은 leakage가 발생하여 바람직하지 않은 방법이다