2주 3일차 후기!

| 2020.01.17

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수강 강의 : 반도체 전공면접 기출문제 및 핵심 이론 -MEMORY-

이번 강의는 이전 전공 면접 강의보다 다소 어려웠던 것 같다. 이전에 배운 반도체 물성 내용은 학기 중 반복해서 배웠던 내용이었지만 이번 강의는 이전보다 심화된 내용으로 공부를 하게 되었다.
DRAM/NAND Flash(2D NAND / 3D NAND) 관련 내용을 수강하였다.

내용 정리
* DRAM
DRAM : 1 transistor + 1 capacitor / Cell transistor은 switching 역할, Cap은 data storing

- 동작원리
1. stand-by (pre- charge)
2. write '1' : Word Line on, 외부에서 charge 공급 > V core까지 charge 차게 됨
3. read '1' : charge sharing
- 중요 parameter V 변화량, Cs를 최대화, CB(기생 cap) 감소, sensing margin

* NAND : Floating gate cell
- 동작원리 : Writing, Reading, 전자를 floating gate에 집어넣는 Program, 전자를 빼는 Erase 과정 필요. Erase 과정에선 floating gate에 전자들이 이미 존재하여 Vt 낮음 (on-cell), program 과정에선 floating gate에 전자가 많지 않아 Vt 큼

* 2D NAND
- scailing 한계 1. lithography 기술 한계, 2. storage 전자 개수 감소 3. Read 동작 시 판별 Cell간의 좁은 간격 > 원하지 않은 Vt 발생 >> 해결 방법 3D NAND

* 3D NAND
- CTF 적층 구조
- poly Si channel